전자전기설계實驗(실험) - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
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작성일 23-05-18 01:28
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Result
Discussion
VGS=1V, IDS=2.985mA
Introduction
레포트 > 자연과학계열
전자전기설계實驗(실험) - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
test(실험) 내용
Materials & Methods
VGS=0.882V, IDS=2.23mA
[2-1]
test(실험) 도구
전자전기설계실험,MOSFET,MOSFET Amplifier Circuit
[2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 test(실험) 을 수행하여 RS의 역할에 대하여 검증하시오. 트랜지스터의 온도를 alteration(변화) 시키기 위한 방법에 대하여 찾아보시오.
Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Multi-meter, 와이어, 빵판, 500Ω 2kΩ 10kΩ 20kΩ 1MΩ 6.7MΩ 저항, 2N7000, 47uF 캐패시터 3개
Abstract. Introduction Materials & Methods Result Discussion Conclusion
[1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오.
RG1 = 6.7*3= 20.1M
Abstract.
[2-2] RS=0으로 만든 상태에서 (Ground 와 short시킴) RG1을 alteration(변화) 시켜 [2-1]에서 구한 VGS및 IDS와 유사한 값을 갖도록 만드시오.
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[1-2] MOS 트랜지스터가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.
Conclusion
RS=0으로 short 시키고 RG1=0 , V=1.89V
순서
[1-2]
[2-1] 트랜지스터의 VGS, IDS값을 구하시오.
[3-1] Common-Source 증폭기의 Mid-Band Gain 값이 20dB이상이 되도록 증폭기를 설계하시오. 사전보고서를 통해 설계한 증폭기의 Gain값이 20dB 이상이 되지 못한다면 이를 해결하기 위한 方案을 고려하여 회로를 수정하시오.
다. 그러나 80도까지는 무리라고 생각한다.
[3-2] fL 및 fH값을 검증할 수 있는 방법에 대하여 고려하고 이를 통해 성능을 검증하시오.
설명
- 드라이기로 따뜻하게 해준다. 그런데 그 정도 온도에서는 사람이 잡고 test(실험) 하는 것은 불가능하다 생각한다. 40도 내외에서 드라이기를 사용하거나 전기난로를 사용한다. 또는 난로 위에 온도를 잰 다음 그 위에 놓고 test(실험) 한다. - VDS= 10.265V, VGS= 0.890V이므로 Saturation 영역이 맞다.
