바이오나노학부 나노 공학test(실험) report photoresist
페이지 정보
작성일 23-10-29 17:46
본문
Download : 바이오나노학부 나노 공학실험 레포트 photoresist.hwp
하나는 Positive photoresist, 다른 하나는 Negative photoresist이다.
③ 1μm의 두께로 AZ5214E를 spin coating 한다.
⑥ bake가 끝나면 Negative photoresist를 Develop을 진행한다. Spin speed는 5000rpm이고 Time은 40sec이다. 식힌 후 절반으로 쪼개 2개로 나눈다. 그리고 Positive는 UV를 쬐어준 후 바로 Develop을 진행을 하고, Negative는 UV를 쬐어준 후 다시 hot plate에서 Reversal bake를 진행한다.
2. experiment(실험) theory(이론)
-Photoresist는 빛을 조사하면 화학 變化를 일으키는 수지를 말하며, 자외선 영역에서 가시광선 영역 파장…(drop)3. Materials and Method.
① Wafer를 acetone과 IPA로 깨끗하게 씻어내고 Blower로 건조시킨다.
② 200℃의 hot plate에서 10분 동안 건조시킨 후 Wafer를 식힌다. 이번 experiment(실험)에서 알아보고자 한 것은 negative와 positive Photoresist의 image차이이다. 그러나 이번 Photoresist인 AZ5214E는 점도가 그렇게 크지 않았기 때문에 wafer에 spin coating이 잘 되었다.
④ Hot plate에서 110℃에서 50초 동안 Bake 한다.
⑦ 상이 선명해질 때까지 Develop을 진행한다.
실험과제/기타
순서
설명
바이오나노학부 나노 공학test(실험)
report photoresist
바이오나노학부 나노 공학test(실험)
report photoresist
바이오나노학부 나노 공학실험 레포트 photoresist , 바이오나노학부 나노 공학실험 레포트 photoresist기타실험과제 , 바이오나노학부 나노 공학실험 레포트 photoresist
나노 工學experiment(실험) 보고서
Image Reversal using AZ5214E positive photoresist
바이오나노학부
1. Introduction
-Photoresist는 전자소자의 회로와 화상 형성 등에 사용되고 있으며, IC, LSI, 초LSI의 미세하고 복잡한 회로 패턴을 제작하는데 있어서 필수 불가결한 재료의 하나이다. develop하기 전에 bake의 정도에 따라 negative image로 나타나는지, positive image로 나타나는지 알아보는 것이 이번 experiment(실험)의 목적이다.4. Result.
바이오나노학부,나노,공학실험,레포트,photoresist,기타,실험과제
Download : 바이오나노학부 나노 공학실험 레포트 photoresist.hwp( 50 )
다. Photoresist는 빛을 받으면 화학變化를 일으키는 재료로 대표적으로 SU 8-50, AZ5214 등이 있따 이번 experiment(실험)의 Photoresist는 AZ5214E이다.
